自上世紀90年代以來，半導體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造，并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設備中。然而就像所有大功率操作設備一樣，氮化鎵晶體管會散發出相當多的熱量，需要對其快速而有效的移除。科學家已嘗試過倒焊芯片和復合基底等多種熱量管理途徑，但效果都不理想。如何為這些設備降溫仍困擾著學界，氮化鎵電子工業的市場份額和應用范圍也因為難以散熱而受到限制。

　　基于納米設備實驗室開發的新技術，將使這一情況得到改善。研究小組由電子工程學教授亞歷山大·巴蘭金領導，他們在進行微拉曼光譜溫度測量時發現，通過引入由多層石墨烯制成的交替散熱通道，能使在高功率運轉情況下的氮化鎵晶體管中的熱點降低20℃，并將相關設備的壽命延長10倍。

　　巴蘭金表示，這代表了熱量管理領域的變革性進展。與金屬或半導體薄膜不同，多層石墨烯即使在自身厚度僅為數納米時，也能保持良好的熱力性質，這使它們成為了制造側面導熱片和連接線的**備選。研究人員在氮化鎵晶體管上設計并構建了石墨烯“被子”，使其能從熱點處移除和傳導熱量。計算機模擬則顯示，采用熱阻更強的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化鎵設備上發揮作用。