半導體材料發展的趨勢:由三維體材料走向納米化方向發展

半導體材料發展的趨勢:由三維體材料走向納米化方向發展
半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發明后，在家電、通信、網絡、航空、航天、國防等領域得到廣泛應用，給電子工業帶來**性的影響。2010年，全球半導體市場達到2983億美元，拉動上萬億美元的電子產品市場。
　　
　　伴隨著半導體市場的壯大，半導體材料也不斷獲得突破。王占國介紹，一般將鍺和硅稱為**代半導體材料。將砷化鎵、磷化銦等稱為**代半導體材料，而將寬禁帶的碳化硅、氮化鎵和金剛石等稱為第三代半導體材料。
　　
　　**代材料中，12英寸單晶硅已經大規模生產，18英寸單晶硅已在實驗室研制成功，全球每年集成電路中的硅用量大約2萬噸。多晶硅方面，由于國內產品純度不夠，我國集成電路所用硅片基本靠進口。2011年，我國多晶硅產量為5萬噸。
　　
　　硅基微電子技術方面，國際上8英寸已經廣泛用于大規模集成電路，我國現有5~12英寸集成電路線約38條。
　　
　　在工藝水平上，國際上12英寸45納米工藝也投入工業生產，預計2016年開發出16納米工藝。但我國還停留在0.18微米、90納米、65納米水平上，只有少數企業擁有45納米工藝。
　　
　　“到2015年，我國將擁有多條45~90納米的8英寸、12英寸生產線。2022年進入國際前列。”王占國表示。
　　
　　不過隨著集成度提高，硅晶片會遇到很多困難，例如芯片功耗急劇增加，極有可能將硅片融掉。
　　
　　國際上預計，2022年將達到“極限”尺寸——10納米。因此，硅基微電子技術*終將無法滿足人類對信息量不斷增長的需求。人們目前開始把希望放在發展新型半導體材料和開發新技術上。
　　
　　王占國介紹，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等為代表的**代半導體材料不斷向硅提出挑戰。它可以提高器件和電路的速度，以及解決由于集成度的提高帶來的功耗增加而出現的問題。
　　
　　GaAs、InP等材料被廣泛應用于衛星通訊、移動通訊、光通信、GPS導航等領域。直徑為2、4、6英寸的GaAs已經得到商業化應用，8英寸的也已經在實驗室研制成功。
　　
　　王占國說，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等為代表的第三代半導體材料也發展很快，這些材料都是寬帶隙半導體材料。它具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度快、介電常數小等特征，能夠在很多領域得到廣泛應用。
　　
　　例如在半導體白光照明方面，王占國預計，到2015年，我國將開發出150lm/W的半導體照明燈，電壓只需要3~4伏，非常**和節能。
　　
　　王占國認為，半導體材料發展的趨勢是由三維體材料向低維材料方向發展。目前，基于GaAs和InP基的低維材料已經發展得很成熟，廣泛地應用于光通信、移動通訊、微波通訊的領域。
　　
　　實際上，這些低維半導體材料亦即納米材料。王占國表示，半導體納米科學技術的應用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制造功能強大、性能優越的人工微結構材料和基于它們的器件和電器、電路，極有可能觸發新的技術**，使人類進入變幻莫測的量子世界。

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半導體材料發展的趨勢:由三維體材料走向 納米化 方向發展

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