某刊不久前刊出《兩款電路更簡潔的可控硅智力搶答器》一文，文中介紹了兩款搶答器及其工作原理，筆者認為該文設計欠妥，且分析闡述也有錯誤之處。現以該文圖1所示電路（見附圖）為例，分析如下。

接通電源開關KB后，LED0發光。搶答器各路按鍵SBX按動前，因可控硅VS1～VSn均關斷，VT無觸發電流而截止。此時A點電壓約4V，B點電壓為0V，音樂門鈴IC無工作電源，電路處于等待狀態。當按動任一路搶答按鍵（如SB1）后，VS1觸發導通，在LED1發光的同時，B點電壓升至3.2V左右，VT飽和導通將R2和LED0短路，LED0熄滅，同時為IC提供工作電源，揚聲器發聲。此時A點電壓降至近0V，即使按下其它按鍵也不能觸發相應的可控硅。
由于任一路VS1導通都使B點升至3.2V左右，如果此時*先按下的某路按鍵（如SB1）還未松開，另有一路按鍵（如SB2）被按下，那么VS1的控制極電壓（3.2+0.6V）勢必通過SB2將VS2也觸發導通，使LED2發光造成無法判斷，為防止此現象的發生，電路在各路觸發支路中均串聯了一只隔離二極管。
筆者認為該設計及其電路原理闡述存在以下問題。圖中的三極管VT在飽和導通前，即A點電壓沒有降至不能觸發其它可控硅之前，按動任何一路按鍵都可以使對應的可控硅觸發，按鈕開關上串聯的二極管D1～Dn不能產生什么"隔離"作用！
實際上，D1～Dn在該設計中僅起到提高可控硅觸發電平的作用。如果原可控硅的觸發電平為VO，則串入二極管后的觸發電平變為VO+VD（VD一般為0.6～0.7V），假設可控硅原來需1V電壓觸發，串入二極管后則變成1.6V左右電壓才能觸發該可控硅，其結果是降低了可控硅的觸發靈敏度，但提高了電路的抗干擾能力。
由于D1～Dn沒有"隔離"作用，電路中也沒有搶答器必須采取的其它支路搶答封鎖措施，而是僅靠三極管VT飽和導通，降低A點電壓--實際只有在A點電壓下降到VO+VD=1.6V以下時，按動其它支路搶答按鍵時才會失去作用。
因此，該搶答器有可能出現多路同時接通的現象，當然也會出現誤判現象。例如，假設SB1首先被按下，SB2稍遲一些被按下，本應VS1首先被觸發，同時禁止稍后的VS2（或其它可控硅）再被觸發，但該電路不具備此項功能，D1、D2等并沒有所謂的"隔離"作用。此外，若可控硅VS2的觸發性能比VS1好（由于元器件參數的離散性，這是常見現象），那么，雖然SB2稍后一點按下，VS2卻會比VS1搶先觸發！
當然，在VT導通、并在A點電壓下降至1.6V以下后，這種"競爭"和"誤判"現象可以避免，在此之前（即使僅有搶答時經常發生的霎那時刻）此現象將一直存在，這是原電路設計的*大敗筆。此外，由于上述原因，原電路對VT的要求應十分嚴格，首先要求上升時間特別短，其次要求飽和壓降盡可能地低；原電路還應嚴格挑選可控硅、二極管等元器件，它們的各種性能應該完全一致。







一款有爭議的可控硅智力搶答器一款有爭議的可控硅智力搶答器一款有爭議的可控硅智力搶答器一款有爭議的可控硅智力搶答器一款有爭議的可控硅智力搶答器