• 過(guò)流保護(hù)器件的浪涌測(cè)試
• 貼片可控硅 可控硅高壓可控硅

• 通過(guò)電阻限制電流
• 輸入電感限制峰值電流

對(duì)于1.2A限流，通常認(rèn)為在發(fā)生故障或短路時(shí)電路保護(hù)IC會(huì)保持在完全受控狀態(tài)。而實(shí)際情況是，在達(dá)到限流條件后通常需要一個(gè)延時(shí)才能真正關(guān)閉開(kāi)關(guān)。發(fā)生硬件短路時(shí)，電流迅速上升，首先會(huì)達(dá)到直流限制條件并開(kāi)始關(guān)閉開(kāi)關(guān)(直流限制可以非常**，但反應(yīng)速度較慢，較慢的反應(yīng)速度可以避免浪涌和其它偽故障事件造成開(kāi)關(guān)閉合)。

雖然開(kāi)關(guān)會(huì)在短時(shí)間內(nèi)斷開(kāi)，但此時(shí)峰值電流可能已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于直流門(mén)限。引線寄生電感較低時(shí)，電流可能上升更快。請(qǐng)參考圖1。

通過(guò)電阻限制電流

我們采用具有較低引線電感的MAX1558USB開(kāi)關(guān)，發(fā)生硬件短路時(shí)，通過(guò)芯片內(nèi)部保護(hù)開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電流限制。當(dāng)保護(hù)電路*終斷開(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，可以測(cè)量到峰值電流(I)，這個(gè)過(guò)程如圖2所示。峰值電流流過(guò)輸入端的寄生電感(LSTRAY)，將儲(chǔ)存以下能量(E)：

E=?×LSTRAY×I2

斷路器或保護(hù)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后，能量會(huì)消耗到哪里呢?

                            
                            圖1.該電路表明了硬件短路時(shí)的電流路徑以及寄生電感驅(qū)動(dòng)下的電流路徑

      
 圖2.波形顯示了具有10μFCBYPASS情況下的短路響應(yīng)，從VIN波形可以看出：由于電流變化使得輸入電壓上沖到了8.6V。

從圖2可以看出：輸入電流(IIN)很快上升到48.8A，然后被限制。開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，可以測(cè)量到電流下降的速率，當(dāng)IIN以20A/μs下降時(shí)，VIN將上沖到8.6V(VMAX)，可以根據(jù)下式計(jì)算電路電感：

(VMAX-VIN)=di/dt×LSTRAY

當(dāng)VMAX-VIN=3.6V，di/dt=20A/μs時(shí)，LSTRAY=180nH。

所以，根據(jù)E=?×LSTRAY×I2，故障結(jié)束時(shí)有214μJ的能量存儲(chǔ)在LSTRAY中。需要利用旁路電容吸收這部分能量并限制電壓的上升。如果選擇10μF輸入電容，初始電壓為5V，初始儲(chǔ)能為：

?×C×V2=E

現(xiàn)在，假設(shè)所有存儲(chǔ)在LSTRAY中的能量*終都轉(zhuǎn)移到輸入電容CBYPASS上，那么：

初始能量+寄生能量=*終能量
125μJ+214μJ=339μJ

339μJ是輸入電容的*終能量，根據(jù)：

?×C×V2=E

或：

?×10μF×V2=339μJ

求解V，得到：V=8.23V。這與圖2中的8.6V測(cè)量值非常接近。

如果輸入旁路電容只有0.1μF，輸入電壓將上升到具有破壞性的電壓值。按照0.1μF重新計(jì)算：

初始能量+寄生能量=*終能量
1.25μJ+214μJ=215μJ

并且：

?×0.1μF×V2=215μJ

求解V，得到：V=65.6V!

顯然，這個(gè)過(guò)程將損壞額定電壓只有5.5V的器件。對(duì)于這種情況下的硬件短路波形如圖3所示，注意輸出也會(huì)上沖到9.8V，這是由于短路后才會(huì)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，它也取決于本次測(cè)試時(shí)的快速di/dt變化。

通常di/dt由功率器件的關(guān)斷特性決定。對(duì)于USB口，電路取決于終端用戶—存在任何可能性，但在掌控之內(nèi)。引起這樣極端的快速關(guān)斷的原因可能是由于電纜斷裂、連接器發(fā)生問(wèn)題，或連接過(guò)程中的機(jī)械故障，如本例所示。

       
                    圖3.從波形可以看出，若輸入電容只有0.1μF，輸入電壓會(huì)上沖到一個(gè)潛在的破壞性高壓。

當(dāng)然電壓不會(huì)上沖到66V理論計(jì)算值，這是因?yàn)樾酒瑑?nèi)部集成了齊納保護(hù)管，可以鉗制電壓的上升，并可能由于吸收能量而被損壞。發(fā)生過(guò)壓的過(guò)程中，額外的能量被硅片吸收。下面的圖4是圖3的時(shí)間展開(kāi)圖。
     
圖4.圖3的時(shí)間展開(kāi)圖，注意到開(kāi)關(guān)關(guān)斷期間較高的di/dt變化率，部分存儲(chǔ)能量已經(jīng)送至輸出端！這將損壞USB開(kāi)關(guān)。

從圖4可以看出，對(duì)于相同電路，較大的輸入旁路電容可以更好地應(yīng)對(duì)硬件短路造成的寄生能量，從而提供額外保護(hù)。通常，帶有地層的印刷電路板(PCB)比測(cè)試當(dāng)中的引線或?qū)嶒?yàn)室中其它連接具有更小的寄生電感。在實(shí)驗(yàn)室做測(cè)試時(shí)，降低連接線和測(cè)試設(shè)備的寄生電感非常困難。

輸入電感限制峰值電流

圖5所示，即使存在高達(dá)1.3μH的輸入引線電感，如果使用10μF的旁路電容，器件仍然可以免于損壞。
      
圖5.此波形顯示了輸入長(zhǎng)引線產(chǎn)生的寄生電感較大(1.3μH)時(shí)的情況，同樣使用10μF輸入旁路電容。注意：輸入電流的上升和下降比較緩慢。當(dāng)輸入電壓超過(guò)8V時(shí)，器件也會(huì)發(fā)生齊納擊穿，電流被泄漏到輸出端(可以由波形圖中的IOUT看出)，但開(kāi)關(guān)不會(huì)損壞。

從圖5可以看出，較大的電感減緩了輸入電流的上升、下降速度。這一點(diǎn)很重要，電感較大時(shí)電流的變化速率大大降低。因?yàn)榇鎯?chǔ)在電感內(nèi)部的能量與電流平方成正比，與電感成正比關(guān)系，較高的峰值電流會(huì)存儲(chǔ)更多的能量。存儲(chǔ)在1.3μH電感的能量?jī)H為419μJ：

125μJ+419μJ=544μJ

并且

?×10μF×V2=544μJ

由上式求解V，得到：V=10.43V。

雖然器件在這硬件短路時(shí)幸免于難，但仍推薦選用一個(gè)更大的輸入旁路電容，以限制*大電壓，使其低于數(shù)據(jù)資料中規(guī)定的極限參數(shù)。

如果設(shè)計(jì)中沒(méi)有考慮存儲(chǔ)在寄生電感中能量，USB器件可能由于過(guò)壓而造成損壞。圖5所示，輸入電感可以是峰值電流的限制因素，從圖2可以看出電阻也可以限制電流。如果電流被限制在導(dǎo)致器件損壞的電平以下，較低的電感有助于改善電路的**工作。

如果電流沒(méi)有得到應(yīng)有的限制，能量在低電感情況下釋放可能迅速達(dá)到破壞性水平。需要特別注意避免這種情況的發(fā)生。圖2所示電路中，電流由0.1Ω電阻限制。雖然減小電感后會(huì)使電流的上升速度提高，如果采取適當(dāng)?shù)南蘖鞔胧^小的電感有助于降低儲(chǔ)能。

大多數(shù)PCB設(shè)計(jì)在保護(hù)開(kāi)關(guān)以及輸入輸出路徑下方都有一個(gè)地層，電感通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于180nH。對(duì)于下方有地層的1/16英寸寬的PCB走線，每英寸長(zhǎng)度大約會(huì)產(chǎn)生10nH電感。應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境，確定所需要的輸入旁路電容。從電感的測(cè)量、分析結(jié)果看，可能需要更大的旁路電容來(lái)保證系統(tǒng)的可靠性，也有可能允許降低輸入旁路電容。

 

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